IMX8-7-F 全国供应商、价格、PDF资料

IMX8-7-F详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：2 NPN（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：50mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：120V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，6V

功率_最大：300mW

频率_转换：140MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

包装：Digi-Reel®

IMX8-7-F详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：2 NPN（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：50mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：120V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，6V

功率_最大：300mW

频率_转换：140MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

包装：剪切带 (CT)

IMX8-7-F详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：2 NPN（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：50mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：120V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，6V

功率_最大：300mW

频率_转换：140MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-26

包装：带卷 (TR)