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IRF1010NL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：85A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 43A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF1010NLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：85A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 43A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF1010NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：85A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 43A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF1010NS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：85A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 43A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF1010NSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：85A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 43A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF1010NSTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：85A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 43A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

DTS26F17-6SB-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
E32-T12L
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRU BEAM 2.2M
IRF1010NLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
IRFR13N20DCTRLP
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
DTS24F17-35PD
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
IRF7325PBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
IPI11N03LA
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
IMC1812RV102K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1000UH 10% 1812
E32-T12L
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRU BEAM 2.2M
IRF7325TRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） HEX/MOS P-CH DUAL 12V 7.8A 8SOIC
IPI12CNE8N G
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
HCM1103-150-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 15UH SMD
DTS24F17-35PN
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
IMC1812RV1R0K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.0UH 10% 1812
E32-T12L
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRU BEAM 2.2M

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