IRF1010ZS详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V
- 功率_最大：140W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF1010ZSPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V
- 功率_最大：140W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF1010ZSTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V
- 功率_最大：140W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF1010ZSTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列：*
- 制造商：International Rectifier
- FET型：
- FET特点：
- 漏极至源极电压333Vdss444：
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：
- Id时的Vgs333th444（最大）：
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：
- 功率_最大：
- 安装类型：
- 封装/外壳：
- 供应商设备封装：
- 包装：
IRF1010ZSTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列：*
- 制造商：International Rectifier
- FET型：
- FET特点：
- 漏极至源极电压333Vdss444：
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：
- Id时的Vgs333th444（最大）：
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：
- 功率_最大：
- 安装类型：
- 封装/外壳：
- 供应商设备封装：
- 包装：
IRF1010ZSTRRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V
- 功率_最大：140W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 16.2K OHM 1W 1% 2512 SMD
- 热缩管 Alpha Wire 5-SMD，无引线 FIT-700 HEAT SHRINK TUBING 1=6’
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 220UH 5% 1812
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 热 - 垫，片 Panasonic Electronic Components PGS SHEET 100X230MM
- 风扇 - DC Qualtek FAN 80.5X32MM 24VDC BALL WIRE
- 钽 Nichicon 2824（7260 公制） CAP TANT 100UF 4V 10% 2824
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 16.5K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- 风扇 - DC Qualtek FAN 80.5X32MM 48VDC BALL WIRE
- 钽 Nichicon 2824（7260 公制） CAP TANT 220UF 4V 10% 2824
- 热 - 垫，片 Panasonic Electronic Components PGS SHEET 180X230MM
- 风扇 - DC Qualtek FAN 80.5X38MM BALL 12VDC WIRE
- 钽 Nichicon 2824（7260 公制） CAP TANT 220UF 4V 20% 2824
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 16.5K OHM 1W 1% 2512 SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
0755-84507209 
13510131896 
19166203057 
0755-82533534 
0755-22655674 
0755-23915992 
0755-88917652 
19129493510 
0755- 8251939 
15821228847 / 
0755-23914006 
0755*83682918 
0755-82542579 
0755-89367839 
