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IRF3708S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3708SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3708STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3708STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3708STRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3708STRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：62A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF540ZLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
IRF7460TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
IRF3707ZL
FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
IPP600N25N3 G
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
HCM18DRTH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非标准 CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD
DTS26F19-35BA
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 66POS SKT
IMP1-2Y0-1E0-1E0-1L0-1Q0-4NN0-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power SC-74，SOT-457 IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF5800
FET - 单 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
E32-T16J
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER AREA 11MM SIDEVIEW
IPP60R250CP
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
HCM18DRTS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非标准 CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD
DTS26F19-35BE
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 66POS SKT
IMP1-2Y0-2Y0-1E-1N-1N-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power SC-74，SOT-457 IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF5800TRPBF
FET - 单 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
E32-T16J
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER AREA 11MM SIDEVIEW

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