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IRF530NS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF530NSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF530NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRF530NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRF530NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF530NSTRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

ISC1812BNR33K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 330NH 10% 1812
E39-UF1-10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BIG LENS ASSEMBLY
IRF5210STRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
HGG.0B.303.CLLPV
连接器，互连器件 LEMO 4-SOJ，5.08mm 间距 RECPT W.NUT CDG 3CTS
IRFB4310ZPBF
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
IRF7665S2TR1PBF
FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等距 SB MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
ISL62884CHRTZ-T
PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 28-WFQFN 裸露焊盘 IC REG PWM SGL PHASE 28TQFN
HCPL0637
光隔离器 - 逻辑输出 Fairchild Optoelectronics Group 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） OPTOCOUPLER 10MBIT 2CH HS 8SOICW
ISC1812BNR39K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 390NH 10% 1812
HGG.0B.305.CLLPV
连接器，互连器件 LEMO 4-SOJ，5.08mm 间距 RECPT W.NUT CDG 5CTS BRAZ.
IRF7701GTRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
IRFB4615PBF
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
ISL6291-1CR
PMIC - 电池管理 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC BATT CHRGR LI-ION 4.1V 16-QFN
HCPL-063A-500E
光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） OPTOCPLR LOG-OUT 2CH 10MBD 8SOIC
ISC1812EB1R5J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.5UH 5% 1812

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