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IRF530S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF530SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）; 包装：管件

IRF530STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF530STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK（SMD-220）; 包装：带卷 (TR)

IRF530STRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF530STRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）; 包装：带卷 (TR)

INA126E/2K5G4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OPAMP INSTR 200KHZ SGL 8MSOP
IN3005KB
键盘 Tripp Lite SC-74，SOT-457 KEYBOARD USB W/HOTKEYS
CRT1-VOD32ML
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT NPN MIL
IPM24S0A0R03FA
DC DC Converters Delta Product Groups/Power 5-SIP 模块 MODULE POWER DC/DC POL 3A
IRF530NSTRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
CRT1-VOD32ML-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT PNP MIL
IPM24S0A0S03FA
DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模块 MODULE POWER DC/DC POL 3A
IHLP4040DZERR36M01
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER .36UH 31.5A SMD
INA103KP
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP INSTR 6MHZ SGL 16DIP
CRT1-VOD32ML-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT PNP MIL
IPM24S0B0S03FA
DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模块 POWER MOD DC/DC 3.3-6.5V@3A 20W
CRT20-10RD-100
单芯导线 Daburn Electronics WIRE TFE HV RED 20AWG .255 IN
IPM24S0B0S03FA
DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模块 POWER MOD DC/DC 3.3-6.5V@3A 20W
IHLP5050CEER100M01
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 10UH 7A SMD
INA126EA/250
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OPAMP INSTR 200KHZ SGL 8MSOP

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