IRF620详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 6A TO-220
- 系列：PowerMESH™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：70W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF620详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3.1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF6201PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 27A SO-8
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：27A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.45 毫欧 @ 27A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：195nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：8555pF @ 16V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF6201TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：27A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.45 毫欧 @ 27A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：195nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：8555pF @ 16V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF6201TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：27A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.45 毫欧 @ 27A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：195nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：8555pF @ 16V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF6201TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：27A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.45 毫欧 @ 27A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：195nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：8555pF @ 16V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- 溫度 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC THERM MICROLAN HI-PREC 8SOIC
- RF 天线 Laird Technologies IAS SC-74，SOT-457 ANT SECTOR 2400-2485MHZ 7DBI
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 41POS PIN
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 39POS FLANGE W/SKT
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS BOX MNT W/PINS
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 4-SIP，GSIB-5S CONN EDGECARD 12POS .156 SQ WW
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 22POS PIN
- 存储器，PC 卡 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IBUTTON TEMPERATURE F5
- 键盘 Tripp Lite SC-74，SOT-457 KEYBOARD MOUSE WIRELESS W/BASE
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS BOX MNT W/SCKT
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 41POS PIN
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 22POS SKT
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 4-SIP，GSIB-5S CONN EDGECARD 12POS .156 EXTEND
- RF 天线 Laird Technologies IAS SC-74，SOT-457 ANT OMNIDIR DUAL BAND 5DBI N FEM
0755-82561519 
0755-83663430 
0755-88917652 
755-83241160（ 
0755-83245050 
0755-83268779 
0755-22655674 
0755-83211840 
13510998172 
0755-23613962 
19166203057 
755-83252273 
18674491576 
0755-84507209 
83209217 
0755-82542579 
