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IRF640N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF640NL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF640NLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF640NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF640NSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF640NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

H2MXS-3018M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30S/AE30M/X
GP12MSCKE
按钮 C&K Components 模块 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
IRF640N
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
H2BBT-10108-S6-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049S/H1500TR 8"
IRF7707GTRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
H2MXS-3036G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30S/AE30G/X
FGC.0B.305.CLAD52Z
连接器，互连器件 LEMO TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB PLUG CDC 5CTS C-COL
IPI70N04S4-06
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1
H2MXS-5036M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM50S/AE50M/X
H2BBT-10108-S8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3048S/H1500TR 8"
H2MXS-6036G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60S/AE60G/X
FGC.0B.305.CYCD25Z
连接器，互连器件 LEMO TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB PLUG CDC 5CTS C-COL
IRF7726TR
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
IPI70N10S3L-12
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
H2MXS-6036M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60S/AE60M/X

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