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IRF6614详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫欧 @ 12.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 20V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 ST; 供应商设备封装：DIRECTFET? ST; 包装：带卷 (TR)

IRF6614TR1详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫欧 @ 12.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 20V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 ST; 供应商设备封装：DIRECTFET? ST; 包装：带卷 (TR)

IRF6614TR1PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫欧 @ 12.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 20V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 ST; 供应商设备封装：DIRECTFET? ST; 包装：剪切带 (CT)

IRF6614TR1PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫欧 @ 12.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 20V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 ST; 供应商设备封装：DIRECTFET? ST; 包装：带卷 (TR)

IRF6614TR1PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫欧 @ 12.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 20V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 ST; 供应商设备封装：DIRECTFET? ST; 包装：Digi-Reel®

IRF6614TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫欧 @ 12.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2560pF @ 20V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 ST; 供应商设备封装：DIRECTFET? ST; 包装：Digi-Reel®

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陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 10000PF 2KV RADIAL
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FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
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光纤 - 发射器 - 离散式 Sharp Microelectronics PCB 安装 TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER
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FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
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连接器，互连器件 LEMO TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 PLUG CDG 4CTS
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陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 0.022UF 2KV RADIAL
IRF7807VD2TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
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光学 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出 Sharp Microelectronics PCB 安装 PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB
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陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 3300PF 2KV 20% RADIAL
FGG.0B.304.CYCD56
连接器，互连器件 LEMO TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 PLUG CDG 4CTS C-COL
IPM24S0A0S03FA
DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模块 MODULE POWER DC/DC POL 3A
HBX332MBBSPYKR
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 3300PF 2KV 20% RADIAL
IRF7807VTRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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