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IRF7311TR 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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IRF7311TR详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫欧 @ 6A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:900pF @ 15V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:带卷 (TR)

IRF7311TRPBF详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫欧 @ 6A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:900pF @ 15V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:带卷 (TR)

IRF7311TRPBF详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫欧 @ 6A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:900pF @ 15V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:剪切带 (CT)

IRF7311TRPBF详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫欧 @ 6A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:900pF @ 15V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:Digi-Reel®

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