IRF7324详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 9A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2940pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7324D1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 1.2A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7324D1PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 1.2A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7324D1TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 1.2A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7324D1TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 1.2A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7324D1TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
- 系列：FETKY™
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 1.2A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 25V 10% X7R 1206
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/PINS
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V 9.7A 8-SOIC
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS W/PIN CABLE
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL
- 陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 25V 10% X5R 1206
- TVS - 其它复合 IXYS 径向 IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
- 其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS CABLE W/SKT
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
- TVS - 其它复合 IXYS 径向 IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1400V
0755-82769062 
13410941925 
19166203057 
0755-82522939 
0755-23613962 
0755-82573702 
13510131896 
075582788062 
13681678667 
0755-83538837 
0755-22655674 
0755-82170267 
755-83252273 
83209217 
