IRF7478PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 4.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1740pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7478QTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 4.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1740pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7478QTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 4.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1740pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
IRF7478TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 4.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1740pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
IRF7478TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 4.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1740pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7478TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 4.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1740pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
- 存储器 - PC 卡 - 连接器 JAE Electronics * CONN COMPACT FLASH RIGHT EJECTOR
- 按钮 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments * IC OPAMP CMOS SNGL MICRPWR 8SOIC
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 8.00MHZ 18PF SMD
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 评估演示板和套件 Micrel Inc 32-VFQFN 裸露焊盘,32-MLF? BOARD EVALUATION KSZ8862-10FL
- LED - 分立式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products 0704(1810 公制) LED AMBER SIDE VIEW SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP CMOS SNGL MICRPWR 8SOIC
- 按钮 NKK Switches SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 8.00MHZ 18PF SMD
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- LED - 分立式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products 0603(1608 公制) LED PURE GREEN TSS TYPE 0603
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP CMOS SNGL MICRPWR 8SOIC
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC