IRF7606TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro8?
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7606TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro8?
- 包装：Digi-Reel®
IRF7606TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro8?
- 包装：带卷 (TR)
IRF7606TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro8?
- 包装：带卷 (TR)
IRF7606TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro8?
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7606TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro8?
- 包装：Digi-Reel®
- 固定式 Susumu 非标准 COIL 0.47 UH POWER CHOKE 20% SMD
- 功率，高于 2 安 TE Connectivity 径向，盒式 RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 扎带 3M PB-6 TIE WIRE 6" BLACK 40LB
- 振荡器 Connor-Winfield 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 125.0000MHZ 2.5V LVPECL SMD
- 接口 - I/O 扩展器 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC I/O EXPANDER I2C 8B 20TSSOP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP 600KHZ SGL 8SOIC
- 通孔电阻器 Caddock Electronics Inc TO-220-2 RES 5K OHM 20W 1% TO-220
- 功率，高于 2 安 TE Connectivity 径向，盒式 RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V
- 扎带 3M PB-6 TIE WIRE 6" NATURAL 40LB
- 多芯导线 General Cable/Carol Brand 6-SMD，无引线（DFN，LCC） 22 AWG 2C 7/30 BC SHLD .008
- 接口 - I/O 扩展器 NXP Semiconductors 20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC I/O EXPANDER I2C 8B 20SSOP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP 600KHZ SGL 8SOIC
- 通孔电阻器 Caddock Electronics Inc TO-220-2 RES 50 OHM 20W 1% TO-220
- 芯片电阻 - 表面安装 TT Electronics/Welwyn 0402（1005 公制） RES 1K OHM 1/16W .1% 0402 SMD
0755-82561519 
0755-88917652 
0755-82560927 
755-83241160（ 
0755-22655674 
0755-83211840 
0755-23613962 
19166203057 
0755-82723761 
755-83252273 
0755-84507209 
0755-83231869 
0755-82533534 
0755-23051326 
010-62962871、 
0755-23915992 
