

IRF7703详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5220pF @ 25V
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:管件
IRF7703GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5220pF @ 25V
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7703GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5220pF @ 25V
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
IRF7703GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5220pF @ 25V
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
IRF7703TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5220pF @ 25V
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
IRF7703TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:5220pF @ 25V
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 620K OHM 4 RES 1206
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 整包 IGBT 360V 30A 35W TO220AB
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 470UH .32A SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 IC CURRENT SHUNT MONITOR SC70-6
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
- 其它 International Rectifier TO-220-3 整包 IGBT 600V 25A 40W TO-220FP
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 SQ MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 680 OHM 4 RES 1206
- 其它 International Rectifier IGBT 600V 25A 40W TO-220FP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP INSTR 200KHZ 16QSOP
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
- 其它 International Rectifier IGBT 360V 50A 104W TO247AC
- 其它 International Rectifier DirectFET? 等容 SQ MOSFET N-CH 25V 28A DIRECTFET
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 180UH 0.5A SMD