IRF7751详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 4.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1464pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：管件
IRF7751GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 4.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1464pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：带卷 (TR)
IRF7751GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 4.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1464pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7751GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 4.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1464pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：Digi-Reel®
IRF7751TR详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 4.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1464pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：带卷 (TR)
IRF7751TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 4.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1464pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：剪切带 (CT)
- 扁平带 3M CABLE 16COND RIBBON LT GRY 100FT
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.8V/2.8V .3A 10-DFN
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
- 矩形- 接头，公引脚 Hirose Electric Co Ltd 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） CONNECTOR MALE R/A 40 POS
- 振荡器 Connor-Winfield 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 24.0000MHZ 3.3V +-25PPM SMD
- 单二极管/齐纳 Comchip Technology DO-214AA，SMB DIODE ZENER 43V 3W DO-214AA
- 功率驱动器 Fairchild Semiconductor SPM23AC IC SPM 500V 3.0A 3PH SPM23AC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 2700PF 100V 10% X7R 0402
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.8V/1.5V .3A 10-DFN
- 湿度，湿气 Honeywell Sensing and Control 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） SENSOR CAPACITIVE HUMIDITY SIP
- 振荡器 Connor-Winfield 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 24.5760MHZ 3.3V +-25PPM SMD
- 单二极管/齐纳 Comchip Technology DO-214AA，SMB DIODE ZENER 47V 3W DO-214AA
- 功率驱动器 Fairchild Semiconductor SPM23ED MOD SPM 500V 2A SPM23-ED
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 3900PF 100V 10% X7R 0402
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.8V/1.8V .3A 10-DFN
13510131896 
0755-22655674 
0755-83258002 
0755-23607529 
755-83206150/ 
19166203057 
755-23914055 
0755-85298085 
0755-83035139 
0755-82573702 
075582788062 
15821228847 / 
13681678667 
0755-82524647 
