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IRF9530NS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF9530NSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF9530NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRF9530NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRF9530NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF9530NSTRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

KT11P2SA1M35LFG
触摸 C&K Components TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V
LMC7101AYM5 TR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Micrel Inc SC-74A，SOT-753 IC OPAMP PRIME 500KHZ SOT23-5
ECS-3518-400-B-TR
振荡器 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 40.00 MHZ 1.8V SMD
IRF9530
FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
L04024R7BHNTR
固定式 AVX Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR THIN FILM 4.7NH 0402
ECW-F6203RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.02UF 630VDC RADIAL
L37-5-640-320-5.0-1A
热 - 垫，片 t-Global Technology L37-5 SHEET 640X320X5MM W/ADH
ECS-35-18-5G3XDS-TR
晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.579545 MHZ 18PF SMD
LMC7101BYM5 TR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Micrel Inc SC-74A，SOT-753 IC OPAMP STD 500KHZ SOT23-5
L0402R82BHLTR
固定式 AVX Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR THIN FILM .82NH 0402
ECW-F6204RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.2UF 630VDC RADIAL
L3PL1WH
标签，标记 Panduit Corp LABEL LS3E WHT 1.5X1.5" 250/ROLL
ECS-35-18-5PVX
晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.579545 MHZ 18PF SMD
LMC7101QM5/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC OPAMP RRIO TINY LP SOT23-5
KT11P2SA2M33
触摸 C&K Components TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 50V

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