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IRFBG20 全国供应商、价格、PDF资料

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IRFBG20详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1000V(1kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 欧姆 @ 840mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:500pF @ 25V
功率_最大:54W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

IRFBG20L详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1000V(1kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 欧姆 @ 840mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:500pF @ 25V
功率_最大:54W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:I2PAK
包装:管件

IRFBG20PBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1000V(1kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 欧姆 @ 840mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:500pF @ 25V
功率_最大:54W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

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