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IRFIZ48G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：37A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 22A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片; 供应商设备封装：TO-220-3; 包装：管件

IRFIZ48GPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：37A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 22A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片; 供应商设备封装：TO-220-3; 包装：管件

IRFIZ48N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：36A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 22A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：42W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3 整包; 供应商设备封装：TO-220AB 整包; 包装：管件

IRFIZ48NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 22A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3 整包; 供应商设备封装：TO-220AB 整包; 包装：管件

IRFIZ48VPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 39A TO220FP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：39A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 43A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1985pF @ 25V; 功率_最大：43W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3 整包; 供应商设备封装：TO-220AB 整包; 包装：管件

FBMOV510M
TVS - 变阻器，MOV Littelfuse Inc - VARISTOR 40KA THRML PRTCD 510V
CRCW25122K00FKEGHP
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.00K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
EXB-N8V391JX
网络、阵列 Panasonic Electronic Components 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 390 OHM 4 RES 0804
CSNL2512FT4L00
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .004 OHM 2W 1% 2512 SMD
IRFIZ48NPBF
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
IDSD-10-D-10.00
矩形 Samtec Inc TO-220-2 CABLE ASSEM 20POS
CSNL2512FT5L00
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .005 OHM 2W 1% 2512 SMD
FBMOV750M
TVS - 变阻器，MOV Littelfuse Inc - VARISTOR 40KA THRML PRTCD 750V
CRCW25122K05FKEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.05K OHM 1W 1% 2512 SMD
CSNL2512FT5L00
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .005 OHM 2W 1% 2512 SMD
IRFL014TRPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
IDSR.200T
保险丝 - 电气，特制 Littelfuse Inc 圆柱形，报警指示 FUSE IND T-DELAY .200A 600VAC/DC
FBO16-12N
桥式整流器 IXYS i4-Pac?-5 DIODE BRIDGE 1PHASE I4-PAC-5
CSNL281-007
电流 Honeywell Sensing and Control CLOSED LOOP CURR SENSOR MEASURES
EXB-N8V394JX
网络、阵列 Panasonic Electronic Components 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 390K OHM 4 RES 0804

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