IRFL214详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：790mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 470mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：管件
IRFL214PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：790mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 470mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：管件
IRFL214TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：790mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 470mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：带卷 (TR)
IRFL214TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：790mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 470mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：剪切带 (CT)
IRFL214TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：790mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 470mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：带卷 (TR)
IRFL214TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：790mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 欧姆 @ 470mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：Digi-Reel®
- 其它 International Rectifier IC CTRLR PWM 8-PHASE 56QFN
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 2020（5050 公制） CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-DIP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP RRIO 5MHZ DUAL 8SOIC
- 固定式 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） INDUCTOR HIFREQ 5.1+/-0.3NH 0402
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 40-QFN
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 International Rectifier * IC DRIVER GATE 60A PQFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MSTR CONN FOR E3XDA6 & E3XDA8
- 评估板 - 运算放大器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） EVALUATION BOARD FOR ISL28214
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DRIVER SGL CHAN 8-SOIC
- 固定式 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） INDUCTOR HIFREQ 68NH+/-.1 0402
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM 48-QFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MSTR CONN FOR E3XDA6 & E3XDA8
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 2020（5050 公制） CONN EDGECARD 12POS .156 DIP SLD
0755-83747144 
0755-84507209 
19166203057 
0755-88917652 
0512-67241533 
010-62962871、 
18927479189 
0755-82561519 
0755-82799659 
021-62153656青 
0755-83286481 
0755-83035161 
13711580601 
0755-82533534 
13691818754 
