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IRFR120TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR120TRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR120TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR120TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRFR120TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

IRFR120TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IMC1210EBR18M
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 180NH 20% 1210
IRFR120NTRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
JV-82
配件 Honeywell Sensing and Control ROLLER FOR V BASIC SWITCH .81"
IL-312-A40S-VF-A1
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 JAE Electronics 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） CONN RCPT 40POS 0.5MM SMD
ECQ-E2125RJB
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 1.2UF 250VDC RADIAL
IXTX22N100L
FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
KPSE07B12-10P
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS JAM NUT W/PINS
KPT00F12-8PX
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 8POS WALL MNT PIN
JVN1A-24V-F
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE SPST 16A 24V
IL-312-A50S-VFH05-A1
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 JAE Electronics 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） CONN RCPT 50POS 0.5MM SMD
ECQ-E2125RJF
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 1.2UF 250VDC RADIAL
IXTY01N100
FET - 单 IXYS TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 1000V 100MA DPAK
KPSE07B12-3P
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS JAM NUT PIN
JW0-0009
模块 - 带磁性元件的插座 Pulse Electronics Corporation CONN PULSEJACK 1PORT DUAL USB
IMC1210EBR68K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 680NH 10% 1210

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