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IRFR220TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 2.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

IRFR220TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 2.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR220TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 2.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRFR220TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 2.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR220TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 2.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRFR220TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 2.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

P4SMA30
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 30V UNI 10% SMD
P1173.602NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 6UH SMD
IRFR220NTRR
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
PBPA19031CG2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing SC-74，SOT-457 PANEL FRONT 31.5X19X0.13" BE/GY
OSTKG240080
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HEADER 24POS 5MM
NX8045GB-20.000000MHZ
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 20.000000 MHZ 8PF SMD
OSTYK41523330
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 23CIRC 8.25MM
OSTVF185251
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 18POS 5.08MM
P4SMA300CAHE3/5A
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS 300W 300V 5% BIDIR SMA
OSTKH041551
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 7.62MM 4POS
NX8045GB-24.000000MHZ
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 24.000000 MHZ 8PF SMD
PBPS19003LG2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing PBPC-8 PANEL FRONT 19X3.5X0.07" GREY
OSTYK42111030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 11CIRC 8.25MM
P4SMA350A
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 350V UNI 5% SMD
OSTVF207151
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HEADER 20POS 5MM

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