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IRFR3704 全国供应商、价格、PDF资料

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IRFR3704详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1996pF @ 10V
功率_最大:62W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:管件

IRFR3704PBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1996pF @ 10V
功率_最大:62W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:管件

IRFR3704TR详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1996pF @ 10V
功率_最大:62W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

IRFR3704TRL详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1996pF @ 10V
功率_最大:62W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

IRFR3704TRLPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1996pF @ 10V
功率_最大:62W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

IRFR3704TRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1996pF @ 10V
功率_最大:62W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:Digi-Reel®

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