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IRFR3910CPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 16A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR3910PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 16A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR3910TRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 16A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR3910TRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 16A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR3910TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 16A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

IRFR3910TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 16A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

ISL58111CRZ-EVAL
评估演示板和套件 Intersil 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） EVALUATION BOARD FOR ISL58111CRZ
IRFR3806TRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
IS-L0271-C
配件 NKK Switches BOARD LOGIC 2COMPACT RGB SW SOCK
E39-G4
配件 Omron Electronics Inc-IA Div COVER FOR E3X
HCT-HE-11
配件 OKI/Metcal 6-SMD，无引线 HEATING ELEMENT REPLCMT FOR 110V
ISL6594BCRZ
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
IRG4BC20F
IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT FAST 600V 16A TO-220AB
ISL58129CRZ-EVAL
评估演示板和套件 Intersil 24-VFQFN 裸露焊盘 BOARD EVAL FOR ISL58129
E3ML-ZHM8
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 LENS 8MM
E39-G4
配件 Omron Electronics Inc-IA Div COVER FOR E3X
HCT-HE-21
配件 OKI/Metcal 6-SMD，无引线 HEATING ELEMENT REPLCMT FOR 230V
ISL6596CBZ-T
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
IRG4BC20F-S
IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT FAST 600V 16A TO-220-3
ISL5829/2INZ
RF 其它 IC 和模块 Intersil 48-LQFP IC DAC 12BIT CMOS DUAL 48LQFP
E3ML-ZHM8
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 LENS 8MM

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