IRFR9120TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRFR9120TRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRFR9120TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
IRFR9120TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRFR9120TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
IRFR9120TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 3.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS PANEL MNT W/SCKT
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC TCXO 26.000MHZ 3.0V SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 12POS PANEL MNT W/SCKT
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC TCXO 16.800MHZ 3.0V SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
075582788062 
0755-82542579 
755-83241160（ 
0755-84507209 
0755-83211840 
0755-83035161 
0755-85298085 
0755-82561519 
0755-83035139 
0755-83015506 
0755-82798529 
13510998172 
13510131896 
