IRFR9N20DPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫欧 @ 5.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
- 功率_最大：86W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRFR9N20DTR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫欧 @ 5.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
- 功率_最大：86W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRFR9N20DTRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫欧 @ 5.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
- 功率_最大：86W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRFR9N20DTRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫欧 @ 5.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
- 功率_最大：86W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRFR9N20DTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫欧 @ 5.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
- 功率_最大：86W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
IRFR9N20DTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫欧 @ 5.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
- 功率_最大：86W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC TCXO 16.800MHZ 3.0V SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 9POS PANEL MNT W/PINS
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1500PF 100VDC 1206
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS PANEL MNT W/PINS
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC TCXO 20.000MHZ 2.8V SMD
- 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引线） IC CLK DVR PLL FANOUT 32-PLCC
0755-82561519 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-82574045 
0755-83211840 
0755-23613962 
19166203057 
755-83252273 
0755-84507209 
0755-82542579 
0755-83231869 
0755-82525087 
010-62962871、 
075582788062 
0755-23915992 
