IRL530NL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 47UH 2.6A SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 220 OHM 8 RES 1608
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 21.5 OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 5.6UH 6.0A SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 220 OHM 8 RES 1608
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 220K OHM 1W 1% 2512 SMD
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 6800UH 0.19A SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
13510998172 
0755-22929859 
0755-８２７８９２９６ 
0755-83777708 
0755-82574045 
171-4729-9698 
19166203057 
13381567868 
0755-84507209 
13509684848 
0755-83231869 
0755-83011539 
0755-23487994 
0755-82561519 
0755-85298085 
15821228847 / 
