IRL630详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 5.4A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：74W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL630A详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 4.5A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：755pF @ 25V
- 功率_最大：69W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220
- 包装：管件
IRL630PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 5.4A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：74W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRL630S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 5.4A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRL630SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 5.4A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRL630STRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 5.4A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div LENS LONG DISTANCE REFLECTION
- FET - 单 International Rectifier * MOSFET N CH 40V 195A TO-262
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America CSP-20 IC VOICE REC/PL 4-8MIN IN CSP
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鸥翼型 OPTOCOUPLER AC/DC-LOG 8-SMD GW
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC SWITCH MP3/USB2.0 HS 10-TDFN
- 近程 Omron Electronics Inc-IA Div - SENSOR PHOTO TB NPN 18M METAL
- PMIC - 电源管理 - 专用 Intersil 28-VQFN 裸露焊盘 IC REG/CTRLR ACPI DUAL DDR 28QFN
- FET - 单 International Rectifier 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） MOSF N CH 30V 8.2A TSOP6
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 1-2MN 28-TSOP
- 光隔离器 - 逻辑输出 Avago Technologies US Inc. 16-DFF OPTOCOUPLER 10MBS 4CH 16-FLATPAK
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC SWITCH USB/CVBS/AUDIO 10-TDFN
- 近程 Omron Electronics Inc-IA Div - SENSOR PHOTO TB PNP 18M PLASTIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TUBE FIBR PROTECTN ARMR FLEX .5M
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
0755-82561519 
755-83241160（ 
0755-82569753 
0755-82574045 
13510998172 
19166203057 
0755-23914006 
0755-84507209 
0755-82542579 
0755-23051326 
0512-67241533 
010-62962871、 
18927479189 
0755-82769062 
0755-15913992 
