IRLML2803GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫欧 @ 910mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：85pF @ 25V
- 功率_最大：540mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23
- 包装：Digi-Reel®
IRLML2803GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫欧 @ 910mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：85pF @ 25V
- 功率_最大：540mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23
- 包装：带卷 (TR)
IRLML2803GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫欧 @ 910mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：85pF @ 25V
- 功率_最大：540mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23
- 包装：剪切带 (CT)
IRLML2803TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫欧 @ 910mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：85pF @ 25V
- 功率_最大：540mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23
- 包装：剪切带 (CT)
IRLML2803TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫欧 @ 910mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：85pF @ 25V
- 功率_最大：540mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23
- 包装：剪切带 (CT)
IRLML2803TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫欧 @ 910mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：85pF @ 25V
- 功率_最大：540mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23
- 包装：带卷 (TR)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MNT BRACKET FOR E3S-43 VERT
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
- 背板 - 专用 FCI METRAL HDR RA PWR 5X6
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 8-DIP 模块，1/8 砖 POWER MODULE DC/DC 8TH BRICK 1.8
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TXRX RS485 FAULT PROT 14SOIC
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT N-CH 600V 40A D2PAK
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.5V .15A/.3A 10-DFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MNT BRACKET FOR E3S-C VERT
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC TXRX RS485 FAULT PROT 8MSOP
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA IGBT UFAST 1200V 11A TO-262
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.5V .15A/.3A 10-DFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MNT BRACKET FOR E3S-C VERT
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 8-DIP 模块，1/8 砖 MODULE DC/DC 8TH BRICK 3.3V 30A
0755-８２７８９２９６ 
0755-82574045 
13316817713 
0755-23612326 
18674491576 
0755-82780609 
0755-23991909 
0755-28904429 
0755-23914006 
010-62615802 
0755-23975412 
0755-82563615 
0755-15913992 
13510998172 
