IRLR3103详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 33A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：107W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRLR3103PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 33A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：107W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：管件
IRLR3103TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 33A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：107W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR3103TRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 33A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：107W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR3103TRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 33A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：107W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
IRLR3103TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 33A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：107W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 25 MHZ 3.3V LVDS SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 5M
- 保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 圆柱形，扁平端子（螺栓） FUSE 250A 1000V
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 2400PF 10V 5% U2J 0402
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM QDRII 72MBIT 165FBGA
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 312.5 MHZ 3.3V LVDS SMD
- 保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 盒，非标准 FUSE 10A 750V 20X127MM FERRULE
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 10PF 50V 5% U2J 0402
- FET - 单 International Rectifier TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 40V 30A I-PAK
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 400MHZ 165-FPBGA
- 保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 盒，非标准 FUSE 20A 750V 20X127MM FERRULE
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 10M
0755-82561519 
0755-88291559 
0755-23612326 
0755-22655674 
075582788161 
0755-82542579 
0755-84507209 
0512-67241533 
755-83241160（ 
0755-83679110 
010-62962871、 
19166203057 
0755-82561519 
0755-82561519 
021-51872165/ 
