IRLR7833TR 全国供应商、价格、PDF资料
IRLR7833TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:140A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4010pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7833TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:140A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4010pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7833TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:140A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4010pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7833TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:140A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4010pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRLR7833TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:140A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4010pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR7833TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:140A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4010pF @ 15V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works 径向,管状 RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 6V
- 编码器 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) ENCODER MODULE 3CH 500CPR 8MM
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC DGTL POT DUAL 50K 14TSSOP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC 4DRVR/4RCVR RS232 5V 24-SOIC
- PMIC - 热交换 Intersil 8-VDFN 裸露焊盘 IC USB PWR CTRLR DUAL 8DFN
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 48V
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC 4DRVR/5RCVR RS232 5V 28SSOP
- PMIC - 热交换 Intersil 8-VDFN 裸露焊盘 IC USB PWR CTRLR DUAL 8DFN
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC DGTL POT DUAL 10K 14TSSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 110V