IRLZ34详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 18A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：88W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRLZ34L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 18A，5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262-3
- 包装：管件
IRLZ34NL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 16A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRLZ34NLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 16A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRLZ34NPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 16A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V
- 功率_最大：68W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRLZ34NS详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 16A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.047UF 275VAC RADIAL
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-WFDFN 裸露焊盘 IC RCVR ESD RS485/422 LP 8-TDFN
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 8POS W/PIN CABLE R/A
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
- PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 Power Integrations 8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引线 IC OFFLINE SWIT OTP OCP CV 8DIP
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3.3V/2.8V .3A 10-DFN
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 10POS CBL MNT W/PINS
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.047UF 275VAC RADIAL
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 8POS W/PIN CABLE R/A
- 保险丝 - 电气，特制 Littelfuse Inc 盒，非标准 FUSE 300MA 250V NON STD SLOW
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3.3V .3A 10-DFN
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil SOT-23-6 IC RCVR ESD RS485/422 LP SOT23-6
- 圆形 - 外壳 ITT Cannon 10 SOCKET CONTACT CONNECTOR
13410941925 
0755-82561519 
0755-83663430 
0755-88917652 
0755-83538837 
755-83241160（ 
0755-22655674 
0755-83211840 
13510998172 
0755-23613962 
19166203057 
755-83252273 
18674491576 
0755-84507209 
83209217 
0755-82542579 
