IXFA14N60P 全国供应商、价格、PDF资料
IXFA14N60P详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
- 系列:PolarHV™ HiPerFET™
- 制造商:IXYS
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:550 毫欧 @ 7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 2.5mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2500pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263(D2Pak)
- 包装:管件
IXFA14N60P3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA
- 系列:Polar3™ HiPerFET™
- 制造商:IXYS
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1480pF @ 25V
- 功率_最大:327W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA
- 供应商设备封装:TO-263AA
- 包装:管件
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA
- 配件 Freescale Semiconductor 0402(1005 公制) BOARD ADAPTER FOR MPC55XX
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC LINEAR
- 其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC SRAM 256KBIT 20NS 80TQFP
- FET - 单 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil SOT-23-6 IC XDCP 32-TAP 100KOHM SOT23-6
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 68-LCC(J 形引线) IC SRAM 256KBIT 55NS 68PLCC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC LINEAR
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 IC XDCP 32-TAP 100KOHM SC70-6
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP