LM5111-1M 全国供应商、价格、PDF资料

LM5111-1M详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC MOSFET DRIVER DUAL 5A 8-SOIC

系列：*

制造商：Texas Instruments

类型：

配置：

输入类型：

延迟时间：

导通电阻：

电流_峰值：

电流_输出/通道：

配置数：

电流_峰值输出：

输出数：

高压侧电压_最大值（自举）：

电压_电源：

工作温度：

安装类型：

封装/外壳：

供应商器件封装：

包装：

LM5111-1M/NOPB详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC MOSFET DRIVER DUAL 5A 8-SOIC

系列：-

制造商：Texas Instruments

类型：

配置：低端

输入类型：非反相

延迟时间：25ns

导通电阻：

电流_峰值：5A

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：3.5 V ~ 14 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：管件

LM5111-1MX详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC MOSFET DRIVER DUAL 5A 8-SOIC

系列：-

制造商：Texas Instruments

类型：

配置：低端

输入类型：非反相

延迟时间：25ns

导通电阻：

电流_峰值：5A

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：3.5 V ~ 14 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：带卷 (TR)

LM5111-1MX/NOPB详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：MOSFET DRVR 5A DUAL LOSIDE 8SOIC

系列：-

制造商：Texas Instruments

类型：

配置：低端

输入类型：非反相

延迟时间：25ns

导通电阻：

电流_峰值：5A

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：3.5 V ~ 14 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：带卷 (TR)

LM5111-1MX/NOPB详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：MOSFET DRVR 5A DUAL LOSIDE 8SOIC

系列：-

制造商：Texas Instruments

类型：

配置：低端

输入类型：非反相

延迟时间：25ns

导通电阻：

电流_峰值：5A

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：3.5 V ~ 14 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：剪切带 (CT)

LM5111-1MX/NOPB详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：MOSFET DRVR 5A DUAL LOSIDE 8SOIC

系列：-

制造商：Texas Instruments

类型：

配置：低端

输入类型：非反相

延迟时间：25ns

导通电阻：

电流_峰值：5A

电流_输出/通道：

配置数：2

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：-

电压_电源：3.5 V ~ 14 V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

包装：Digi-Reel®