MJD44H11TF 全国供应商、价格、PDF资料

MJD44H11TF详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 80V 8A DPAK

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：8A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 400mA，8A

电流_集电极截止（最大）：10µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 4A，1V

功率_最大：1.75W

频率_转换：50MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：TO-252-3

包装：带卷 (TR)

MJD44H11TF详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 80V 8A DPAK

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：8A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 400mA，8A

电流_集电极截止（最大）：10µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 4A，1V

功率_最大：1.75W

频率_转换：50MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：TO-252-3

包装：Digi-Reel®

MJD44H11TF详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 80V 8A DPAK

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：8A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 400mA，8A

电流_集电极截止（最大）：10µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 4A，1V

功率_最大：1.75W

频率_转换：50MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：TO-252-3

包装：剪切带 (CT)