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MJD47T4 全国供应商、价格、PDF资料

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MJD47T4详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 250V 1A DPAK
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):250V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 200mA,1A
电流_集电极截止(最大):100µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 300mA,10V
功率_最大:15W
频率_转换:10MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

MJD47T4详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PWR NPN 1A 250V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):250V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 200mA,1A
电流_集电极截止(最大):200µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 300mA,10V
功率_最大:1.56W
频率_转换:10MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:剪切带 (CT)

MJD47T4详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 250V 1A DPAK
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):250V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 200mA,1A
电流_集电极截止(最大):100µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 300mA,10V
功率_最大:15W
频率_转换:10MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:剪切带 (CT)

MJD47T4详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 250V 1A DPAK
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):250V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 200mA,1A
电流_集电极截止(最大):100µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 300mA,10V
功率_最大:15W
频率_转换:10MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:Digi-Reel®

MJD47T4详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PWR NPN 1A 250V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):250V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 200mA,1A
电流_集电极截止(最大):200µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 300mA,10V
功率_最大:1.56W
频率_转换:10MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:Digi-Reel®

MJD47T4G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PWR NPN 1A 250V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):250V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 200mA,1A
电流_集电极截止(最大):200µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 300mA,10V
功率_最大:1.56W
频率_转换:10MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:剪切带 (CT)

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