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MJE18004 全国供应商、价格、PDF资料

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MJE18004详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PWR NPN 5A 450V TO220AB
系列:SWITCHMODE™
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):5A
电压_集电极发射极击穿(最大):450V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):750mV @ 500mA,2.5A
电流_集电极截止(最大):100µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:14 @ 300mA,5V
功率_最大:75W
频率_转换:13MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

MJE18004D2详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PWR NPN 5A 450V TO-220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):5A
电压_集电极发射极击穿(最大):450V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):750mV @ 400mA,2A
电流_集电极截止(最大):100µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:6 @ 2A,1V
功率_最大:75W
频率_转换:13MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

MJE18004D2G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PWR NPN 5A 450V TO-220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):5A
电压_集电极发射极击穿(最大):450V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):750mV @ 400mA,2A
电流_集电极截止(最大):100µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:6 @ 2A,1V
功率_最大:75W
频率_转换:13MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

MJE18004G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS POWER NPN 5A 450V TO220AB
系列:SWITCHMODE™
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):5A
电压_集电极发射极击穿(最大):450V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):750mV @ 500mA,2.5A
电流_集电极截止(最大):100µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:14 @ 300mA,5V
功率_最大:75W
频率_转换:13MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

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