MJE200 全国供应商、价格、PDF资料

MJE200G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 40V 5A TO225AA

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.8V @ 1A，5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：45 @ 2A，1V

功率_最大：15W

频率_转换：65MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO225AA

包装：散装

MJE200STU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 25V 5A TO-126

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.8V @ 1A，5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：45 @ 2A，1V

功率_最大：15W

频率_转换：65MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO-126

包装：管件

MJE200TSTU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 25V 5A TO-126

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.8V @ 1A，5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：45 @ 2A，1V

功率_最大：15W

频率_转换：65MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO-126

包装：管件