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MMFT960T1 全国供应商、价格、PDF资料

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MMFT960T1详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:300mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.7 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:65pF @ 25V
功率_最大:800mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:剪切带 (CT)

MMFT960T1详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:300mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.7 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:65pF @ 25V
功率_最大:800mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:Digi-Reel®

MMFT960T1G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:300mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.7 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:65pF @ 25V
功率_最大:800mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:Digi-Reel®

MMFT960T1G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:300mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.7 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:65pF @ 25V
功率_最大:800mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:带卷 (TR)

MMFT960T1G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:300mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.7 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:65pF @ 25V
功率_最大:800mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:剪切带 (CT)

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