MSA1162GT1 全国供应商、价格、PDF资料

MSA1162GT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS GP PNP 50V SC59

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，6V

功率_最大：200mW

频率_转换：80MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SC-59

包装：剪切带 (CT)

MSA1162GT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS GP PNP 50V SC59

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，6V

功率_最大：200mW

频率_转换：80MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SC-59

包装：Digi-Reel®

MSA1162GT1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS GP PNP 50V SC59

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，6V

功率_最大：200mW

频率_转换：80MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SC-59

包装：带卷 (TR)