MUN5213DW1T1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：47k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：Digi-Reel®
MUN5213DW1T1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：47k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：带卷 (TR)
MUN5213DW1T1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：47k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：剪切带 (CT)
MUN5213DW1T3G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：47k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：带卷 (TR)
MUN5213T1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：47k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：202mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）
- 包装：Digi-Reel®
MUN5213T1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：47k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流_集电极截止（最大）：500nA
- 频率_转换：-
- 功率_最大：202mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）
- 包装：剪切带 (CT)
- 光纤 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’
- 光纤 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 3’
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP VFB 3.9GHZ SGL 8SOIC
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
- 网络、阵列 Vishay Dale 9-SIP RES ARRAY 22K OHM 8 RES 9-SIP
- 配件 Crydom Co. 0603（1608 公制） KIT BRACKT HARDWARE DIN RAIL MNT
- 光纤 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 3’
- 光纤 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’
- 逻辑 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-SOIC
- 配件 Crydom Co. 0603（1608 公制） KIT BRACKT HARDWARE DIN RAIL MNT
- 网络、阵列 Vishay Dale 10-SIP RES ARRAY 100K OHM 9 RES 10-SIP
- 光纤 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’
- 光纤 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’
- 逻辑 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-SOIC
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） OPA875IDG4
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-83211840 
0755-23613962 
19166203057 
755-83252273 
0755-84507209 
0755-23991909 
010-62962871、 
075582788062 
021-51872165/ 
13715365718 
0755-82561519 
0755-23612326 
17876146278/1 
0755－82812004 
