NDS8934详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 3.8A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 10V
- 功率_最大：900mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：带卷 (TR)
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 82.5 OHM 1/4W 1% METAL FILM
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 220UH 5% 1812
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N+P 30V 4.8A 8-SOIC
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR 100UH 10% 453232
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 17CIRC 9.50MM
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N CH 600V 2.4A TO220FP
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 887K OHM 1/4W 1% METAL FILM
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 22CIRC 9.50MM
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR WW PWR 100UH 180MA 10%
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 3.6OHM TO220FP
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 909K OHM 1/4W 1% METAL FILM
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
0755-82542579 
0755-84507209 
0755-82561519 
0755-83777708 
0755-/8321846 
0755-85298085 
0755-８２７８９２９６ 
0755-82574045 
0755-83242658 
0755-23999932 
0755-23991909 
0755-28904429 
12345678 
010-62962871、 
