NTB30N20T4G 全国供应商、价格、PDF资料

NTB30N20T4G详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：200V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：81 毫欧 @ 15A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：2335pF @ 25V

功率_最大：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：剪切带 (CT)

NTB30N20T4G详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：200V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：81 毫欧 @ 15A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：2335pF @ 25V

功率_最大：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：带卷 (TR)

NTB30N20T4G详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：200V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：81 毫欧 @ 15A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：2335pF @ 25V

功率_最大：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：Digi-Reel®