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NTB60N06T4 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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NTB60N06T4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:60A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 30A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:81nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3220pF @ 25V
功率_最大:2.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:带卷 (TR)

NTB60N06T4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:60A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 30A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:81nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3220pF @ 25V
功率_最大:2.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:Digi-Reel®

NTB60N06T4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:60A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 30A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:81nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3220pF @ 25V
功率_最大:2.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:剪切带 (CT)

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