

PDTA114EU,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS PNP 50V 100MA SOT323
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:180MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70
- 包装:带卷 (TR)
PDTA114EU,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS PNP 50V 100MA SOT323
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:180MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70
- 包装:剪切带 (CT)
PDTA114EU,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS PNP 50V 100MA SOT323
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:180MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70
- 包装:带卷 (TR)
PDTA114EU,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS PNP 50V 100MA SOT323
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:180MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70
- 包装:Digi-Reel®
PDTA114EU,135详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS PNP W/RESISTOR SOT-323
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 1008(2520 公制) INDUCTOR WW 3300NH 7.9MHZ 1008
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 86.6K OHM 1/4W 0.1% 1206
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 NXP Semiconductors SC-101,SOT-883 TRANS PNP W/RES 50V SOT-883
- 其它 Pulse Electronics Corporation 垂直式,8 鸥翼形 MODULE
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 1008(2520 公制) INDUCTOR WW 39NH 50MHZ 1008
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8MSOP
- 其它 Pulse Electronics Corporation 垂直式,8 鸥翼形 MODULE
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 1008(2520 公制) INDUCTOR WW 390NH 25MHZ 1008
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 887 OHM 1/4W 0.1% 1206
- 其它 Pulse Electronics Corporation 垂直式,8 鸥翼形 MODULE
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 1008(2520 公制) INDUCTOR WW 390NH 25MHZ 1008
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-CDIP(0.300",7.62mm) IC MOSFET DRIVER 6A INV 8CDIP
- 其它 Pulse Electronics Corporation 垂直式,8 鸥翼形 MODULE
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 1008(2520 公制) INDUCTOR WW 47NH 50MHZ 1008