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当前位置:网站首页 » 库存索引45 » 型号"PDTC114EM"的供应信息

PDTC114EM 全国供应商、价格、PDF资料

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PDTC114EM,315详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT883
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):10k
电阻器_发射极333R2444(欧):10k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
电流_集电极截止(最大):1µA
频率_转换:-
功率_最大:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-101,SOT-883
供应商设备封装:SOT-883
包装:带卷 (TR)

PDTC114EMB,315详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANSISTOR NPN W/RES XQFN3
系列:*
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:
电流_集电极333Ic444(最大):
电压_集电极发射极击穿(最大):
电阻器_基极333R1444(欧):
电阻器_发射极333R2444(欧):
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):
电流_集电极截止(最大):
频率_转换:
功率_最大:
安装类型:
封装/外壳:
供应商设备封装:
包装:

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