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PMWD16UN 全国供应商、价格、PDF资料

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PMWD16UN,518详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 3.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:23.6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1366pF @ 16V
功率_最大:3.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:8-TSSOP
包装:Digi-Reel®

PMWD16UN,518详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 3.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:23.6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1366pF @ 16V
功率_最大:3.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:8-TSSOP
包装:剪切带 (CT)

PMWD16UN,518详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 3.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:23.6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1366pF @ 16V
功率_最大:3.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:8-TSSOP
包装:带卷 (TR)

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