PZT2222A详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS AMP NPN GP 40V .5A SOT-223
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223-3
- 包装:剪切带 (CT)
PZT2222A详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS AMP NPN GP 40V .5A SOT-223
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223-3
- 包装:Digi-Reel®
PZT2222A详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS AMP NPN GP 40V .5A SOT-223
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223-3
- 包装:带卷 (TR)
PZT2222A,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 40V 600MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:1.15W
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:Digi-Reel®
PZT2222A,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 40V 600MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:1.15W
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:剪切带 (CT)
PZT2222A,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 40V 600MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):600mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:1.15W
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0603(1608 公制) RES 22.0K OHM 1/10W .05% 0603SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0603(1608 公制) RES 620 OHM 1/10W .05% 0603 SMD
- 配件 Honeywell Sensing and Control 0603(1608 公制) LEVER FOR ROTARY SWITCH
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0603(1608 公制) RES 866 OHM 1/10W .5% 0603
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 6.8V 300MW SOT346
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0603(1608 公制) RES 3.6K OHM 1/10W .5% 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 宽 1812(4532 公制),1218 RES 113K OHM 1W 1% 1218 WIDE
- 热缩管 Qualtek 宽 1812(4532 公制),1218 HEATSHRINK POLY Q2Z 1/2"X15’ BLK
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0603(1608 公制) RES 62.0K OHM 1/10W .5% 0603
- 配件 Honeywell Sensing and Control TO-261-4,TO-261AA LEVER FOR ROTARY SWITCH
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0603(1608 公制) RES 3.6K OHM 1/10W .05% 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 宽 1812(4532 公制),1218 RES 118K OHM 1W 1% 1218 WIDE
- 热缩管 Qualtek 宽 1812(4532 公制),1218 HEATSHRNK POLY Q2Z 1/8"X100’ BLK
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0603(1608 公制) RES 866 OHM 1/10W .05% 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0603(1608 公制) RES 220K OHM 1/10W .5% 0603