RN1109FS(TPL3)详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):50mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- 电阻器_基极333R1444(欧):47k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:50mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:3-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:fSM(1.0x0.6)
- 包装:带卷 (TR)
RN1109MFV(TPL3)详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-723
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):47k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:70 @ 10mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-723
- 供应商设备封装:VESM(1.2x1.2)
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1210(3225 公制) RES 1.2K OHM 1/3W 1% 1210 SMD
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Toshiba 3-SMD,扁平引线 TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 8.25 OHM 1/2W 1% AXIAL
- 圆形 - 外壳 Amphenol Sine Systems Corp 轴向 CONN HSG RCPT 4POS WALL MT SKTS
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES METAL OX 2W 1.3 OHM 5% AXL
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805(2012 公制) RES 4.87K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 953 OHM 1/2W 1% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805(2012 公制) RES 2.55K OHM 1/8W .1% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0603(1608 公制) RES 620 OHM 1/16W .5% 0603 SMD
- 圆形 - 外壳 Amphenol Sine Systems Corp SOT-723 CONN HSG RCPT 4POS WALL MT SKTS
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MO 2W 200 OHM 5% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805(2012 公制) RES 25.5K OHM 1/8W .1% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805(2012 公制) RES 48.7 OHM 1/8W .1% 0805
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 97.6K OHM 1/2W 1% AXIAL
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Toshiba 3-SMD,扁平引线 TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM