

SI1013X-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:350mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装:SC-89-3
- 包装:Digi-Reel®
SI1013X-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:350mA
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- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装:SC-89-3
- 包装:带卷 (TR)
SI1013X-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:350mA
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- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装:SC-89-3
- 包装:剪切带 (CT)
SI1013X-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:350mA
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- 封装/外壳:SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装:SC-89-3
- 包装:带卷 (TR)
SI1013X-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:350mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装:SC-89-3
- 包装:剪切带 (CT)
SI1013X-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:350mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装:SC-89-3
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3300PF 100V 1% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3300PF 100V 10% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix SC-89,SOT-490 MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 14POS INLINE W/PINS
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 2700UF 63V 20% SNAP
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 150PF 200V 1% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 47PF 100V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 360PF 100V 5% RADIAL
- DC DC Converters Emerson Network Power 11-SIP 模块 CONV DC/DC NIPOL 10A 1.5V VERT
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 150PF 200V 2% RADIAL
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 5600UF 63V 20% SNAP
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 47PF 100V 5% RADIAL
- DC DC Converters Emerson Network Power 11-SIP 模块 CONV DC/DC NIPOL 10A 2.5V VERT
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3900PF 100V 5% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix SC-75A MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A