SI1026X-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI1026X-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 305MA SOT563F
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 25V
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：剪切带 (CT)
SI1026X-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 305MA SOT563F
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 25V
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：Digi-Reel®
SI1026X-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 305MA SOT563F
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 25V
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：带卷 (TR)
SI1026X-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：带卷 (TR)
SI1026X-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：剪切带 (CT)
SI1026X-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：Digi-Reel®
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 140 OHM 1/4W .25% SMD 1206
- FET - 阵列 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6
- 套管 - 音频 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO 5POS 3.5MM SMD
- FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 FCI TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB SFW9R-2STE1-FFC/FPC CONN
- 套管 - 音频 CUI Inc CONN AUDIO JACK 3.5MM 4COND SMD
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries TERM BARRIER 4CIRC SGL ROW .250
- 单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-201AD，轴向 DIODE SUPER FAST 3A 300V DO201AD
- 套管 - 音频 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO 5POS 3.5MM SMD
- RF 天线 Nearson Inc ANTENNA OMNI STR 2.4GHZ N TYPE
- 套管 - 音频 CUI Inc CONN AUDIO JACK 3.5MM 4COND SMD
- 矩形 - 触点 JST Sales America Inc 200-SORDIMM CONN TERM CRIMP EH 22-30AWG
- 拨动开关 APEM Components, LLC DO-201AD，轴向 SWITCH TOGGLE MINI SELD
- 扎带 Panduit Corp 1812（4532 公制） CABLE TIE MINI BLK 6.2"
- FET - 阵列 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 150K OHM 1/4W .25% SMD 1206
0755-88917652 
0755-18503085 
0755-82560927 
13510998172 
19166203057 
0755-23915992 
0755-84507209 
0755-82780082 
010-62962871、 
13715365718 
17302677633 
0755-23612326 
0755-82561519 
0755-８２７８９２９６ 
